002 .2 平面全耗尽绝缘衬底上硅（FD-SOI）MOSFET

书名：芯片设计：CMOS模拟集成电路版图设计与验证：基于Cadence作者名：陈铖颖 范军尹飞飞本章字数：555更新时间：2024-12-30 18:26:58